[발표기술5] 광액화 기반 초고해상도 EUV & 2D/3D 반도체 리소그래피 기술
기술개요
광액화 가능한 유기 화합물을 포함한 고분자 또는 금속 산화물 나노클러스터 기반 레지스트 조성물을 활용하여 반도체 소자의 초미세 패턴 형성을 구현제 2 노광 공정에서 입사광의 편광 방향을 제어함으로써 레지스트 패턴 내 분자 배열을 조절하여 해상도를 높이고, 선 가장자리 거칠기를 줄이며, 선폭 및 피치 제어
특허정보
| 특허명 | 출원번호(등록번호) |
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| 포토리소그래피용 레지스트 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 | KR 10- 2025-0002657 |
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기술개요
광액화 가능한 유기 화합물을 포함한 고분자 또는 금속 산화물 나노클러스터 기반 레지스트 조성물을 활용하여 반도체 소자의 초미세 패턴 형성을 구현
제 2 노광 공정에서 입사광의 편광 방향을 제어함으로써 레지스트 패턴 내 분자 배열을 조절하여 해상도를 높이고, 선 가장자리 거칠기를 줄이며, 선폭 및 피치 제어 -
기술의 차별성
광변색 그룹의 광이성질화 특성을 활용, 제 2 노광 공정 시 편광 방향에 따라 포토레지스트 패턴들의 광액화를 유도
기존 레지스트 대비 선 가장자리 거칠기(LER)를 낮추고, 포토레지스트 패턴의 해상도를 향상시키며, 추가 공정 없이 선폭 및 피치(pitch)의 제어가 가능함 -
응용분야
차세대 반도체 제조 공정 (EUV 리소그래피 기반 초미세 패턴 형성, 반도체 미세화 공정)
광전자 소자 및 나노패터닝 (광학 부품, MEMS/NEMS 소자, 포토닉스용 나노구조) -
시장동향
글로벌 EUV 리소그래피 시장 규모
글로벌 EUV 리소그래피시장 규모는 2024년 35억 달러의 규모로 평가되었되며, 연평균 성장률 13.5%로 성장하여 2032년에는 242억 달러의 규모에 달할 것으로 추정됨
ASML, Intel 및 TSMC 와 같은 업계 주요 기업의 적극적 투자는 EUV 리소그래피 시장의 성장을 확대함 -
기술완성도TRL
01기초이론/실험TRL
02실용 목적의 아이디어/특허 등 개념 정립TRL
03연구실 규모의 성능 검증TRL
04연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가TRL
05시제품 제작/성능 평가TRL
06Pilot 단계 시작품 성능 평가TRL
07Pilot 단계 시작품 신뢰성 평가TRL
08시작품 인증/표준화TRL
09사업화