[발표기술7] 싱글 폴리 구조의 임베디드 플래시 메모리 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 하드웨어 소자
기술개요
본 기술은 두 개의 트랜지스터만으로 구성된 싱글 폴리 임베디드 플래시 메모리 셀에 관한 것으로, 고집적·저전력 동작 가능뉴로모픽 하드웨어 소자로 활용될 경우, 멀티레벨 가중치 표현과 초고속 연산을 구현할 수 있음
특허정보
| 특허명 | 출원번호(등록번호) |
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| 싱글 폴리 구조의 임베디드 플래시 메모리 소자, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 | KR10-2024-0065551 |
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기술개요
본 기술은 두 개의 트랜지스터만으로 구성된 싱글 폴리 임베디드 플래시 메모리 셀에 관한 것으로, 고집적·저전력 동작 가능
뉴로모픽 하드웨어 소자로 활용될 경우, 멀티레벨 가중치 표현과 초고속 연산을 구현할 수 있음 -
기술의 차별성
기존 5T 구조 대신 2T gated-p-i-n 다이오드 기반 싱글 폴리 구조를 채택하여 소자 면적을 대폭 줄이고 고집적화를 실현함
→ 특허에서 제안한 current mode / capacitive mode 검증 완료
Hot Carrier Injection 기반 프로그램/이레이즈 방식으로 저전압·저전력 동작이 가능하며, CMOS 공정과 호환되어 대량 생산성이 높음
뉴로모픽 소자에 적용 시 다양한 멀티레벨 가중치 구현 및 초고속 하드웨어 연산 동작 가능
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응용분야
차세대 메모리 반도체 (임베디드 MCU/SoC, 차량용 반도체, 모바일 기기)
뉴로모픽 하드웨어 (인공지능 가속기, 엣지 AI 칩, 초저전력 연산 장치) -
시장동향
뉴로모픽 AI 반도체 시장 수요 급증
글로벌 뉴로모픽 AI 반도체시장은 2024년 약 13억 5천만 달러에서 2033년까지 연평균 27.0% 성장 전망
뉴로모픽 컴퓨팅 기술의 발전, AI 기반 전자제품 및 웨어러블 분야의 급성장과 더불어 뉴로모픽 AI 반도체 수요 증가 -
기술완성도TRL
01기초이론/실험TRL
02실용 목적의 아이디어/특허 등 개념 정립TRL
03연구실 규모의 성능 검증TRL
04연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가TRL
05시제품 제작/성능 평가TRL
06Pilot 단계 시작품 성능 평가TRL
07Pilot 단계 시작품 신뢰성 평가TRL
08시작품 인증/표준화TRL
09사업화